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          碳化硅,究竟貴在哪里?


          碳化硅半導體,是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料,以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點,具有開關速度快、效率高的優勢,可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積,主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域,在民用、軍用領域均具有明確且可觀的市場前景。我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域,隨著國家“新基建”戰略的實施,碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發揮重要作用。因此,以碳化硅為代表的寬禁帶半導體是面向經濟主戰場、面向國家重大需求的戰略性行業

          碳化硅在制造射頻器件、功率器件等領域具有明顯優勢。但是在射頻器件、功率器件領域,碳化硅襯底的市場應用瓶頸為其較高的生產成本。影響碳化硅襯底成本的制約性因素在于生產速率慢、產品良率低,主要系:目前主流商用的PVT 法晶體生長速度慢、缺陷控制難度大。相較于成熟的硅片制造工藝,碳化硅襯底短期內依然較為高昂。例如,目前碳化硅功率器件的價格仍數倍于硅基器件,下游應用領域仍需平衡碳化硅器件的高價格與因碳化硅器件的優越性能帶來的綜合成本下降之間的關系,短期內一定程度上限制了碳化硅器件的滲透率,其成本高限制了其在下端市場的應用場景以及市場滲透,那么碳化硅具體貴在什么地方呢?
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